物理化学稳定性极佳（高硬、高熔点、化学惰性）、光学透光性好（尤其对可见光和紫外光）、绝缘性好、与GaN可实现良好外延、晶体质量可控、机械强度高。成熟、稳定、设备兼容性好、成本相对较低。
Crystal Material | High Purity Al2O3 （ 99.996%） | |
| 性能 | 目标值 | 误差 |
| 直径（mm） | 100 | ±0.1 |
| 厚度（um） | 660 | ±10 |
| A面（11-20）取向 | 0° | ±0.1° |
| M面（1-100）取向 | 0.2° | ±0.05° |
| 定位面长度（mm） | 30 | ±1 |
| 正面粗糙度Ra（nm） | ≤0.3 | |
