LED外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和GaAs)上,将气态物质有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法(MOCVD)。 LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
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类型白光LED外延片蓝光LED外延片绿光LED外延片红光LED外延片
直径100±0.25mm100±0.25mm100±0.25mm100±0.25mm
衬底厚度650±20um650±20um650±20um350±20um
外延层厚度5-6.5um5-6.5um5-6.5um5-10um
PL WP445-465nm465-480nm515-535nm570-650nm
PL WP STD<3<3<3<3


应用案例

白光LED外延片:LED-背光、LED-照明

蓝光LED外延片:LED-直显

绿光LED外延片:LED-直显

红光LED外延片:LED-车载


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