LED外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和GaAs)上,将气态物质有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法(MOCVD)。 LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
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